高電子移動率晶體管（HEMT）封裝改善了在太空電力應用中的器件並聯性能

隨著處理能力的增強和更複雜的負載被放置在軌道上或深空任務中，有時有必要並聯兩個或更多的電源開關。然而，傳統的電源設備封裝，例如 FSMD-A/B/C/D 及其 I/O 接腳設置，使得在性能考量下並聯這些設備變得困難。在並聯時，這些封裝上的閘極和源感應接腳要么阻礙了最有效/最短的從封裝到封裝的漏極和源極連接，要么阻礙了閘極和源感應接腳的連接。因此，在並聯配置中，總是在優化漏源負載電路性能和閘源感應驅動迴路性能之間存在妥協。本文介紹了 FSMD-G 離散 HEMT 封裝，並解釋了其 I/O 接腳的重新配置如何在並聯 GaN HEMTs 時克服這些限制。

How2Power
2023 年 9 月
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