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EPC 發佈第 17 期可靠性報告:推動 GaN 可靠性與壽命預測的發展
Posted 2025年3月11日
EL SEGUNDO,加州 — 2025 年 2 月 — EPC,氮化鎵 (GaN) 電源裝置的領導者,宣布發佈
第 17 期可靠性報告,進一步鞏固 GaN 作為電力電子、汽車、人工智慧、航太與工業應用領域中高度可靠技術的地位。
最新的可靠性報告引入了擴展的壽命模型、任務特定的可靠性預測以及基於物理的新退化機制,為工程師提供更準確且實用的 GaN 電源裝置可靠性數據。
第 17 期可靠性報告的關鍵亮點
- 擴展的閘極壽命模型:納入不同電壓與溫度下的閘極漏電流效應,增強撞擊游離建模
- 重複瞬態閘極過電壓測試:開發並驗證 7 V 閘極過電壓額定值,以應對實際應用中的共振類瞬態應力
- 增強的汲極過電壓耐受性:進一步驗證 GaN 在重複瞬態汲-源過電壓條件下的卓越耐用性
- 新脈衝電流額定數據:測試延伸至超過 1 億次脈衝,證明第五代和第六代 GaN 器件的參數變化極小
- 全面的熱機械壽命模型:新增功率循環 (PC) 模型,適用於汽車與 AI 電源系統等高應力應用
- 任務特定的可靠性洞察:擴展太陽能、光達 (LiDAR) 和 DC-DC 轉換應用分析,幫助工程師優化設計以實現長期運行
推動 GaN 在可靠性與性能方面的發展
EPC 的測試至失效 (test-to-fail) 方法持續將 GaN 技術推向超越傳統矽 MOSFET 的新高度。透過將實際應力條件納入先進壽命模型,
第 17 期報告確保了新一代電力應用更準確的可靠性預測。
這份報告透過任務特定的預測與新壽命模型推進 GaN 可靠性建模,使工程師能夠自信地將 GaN 整合到高功率、高效能且堅固的設計中,
EPC 執行長兼聯合創辦人 Alex Lidow 表示。
可獲取性
EPC 第 17 期可靠性報告可於 epc-co.com 下載。如需更多技術詳情,請
諮詢 GaN 專家。
關於 EPC
EPC 是增強型氮化鎵 (eGaN®) 電源管理領域的領導者。eGaN FET 和整合電路在應用中展現出遠超過
最佳矽 MOSFET 的效能,例如 DC-DC 轉換器、
遠端感測技術 (LiDAR)、
電動移動 (eMobility) 的馬達驅動、機器人與無人機,以及
低成本衛星。
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