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為什麼 GaN 比矽更可靠？
Posted 2025年7月11日
GaN（氮化鎵）FET 正以優異的可靠性徹底改變電力電子技術，優於傳統矽半導體。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋 GaN 技術在電源轉換應用中的根本優勢。了解為什麼 GaN 器件能在 300°C 高溫下運作，而矽會失效；認識 GaN FET 中不存在 Spirito 效應的原因；並發掘這些寬能隙半導體如何實現太空應用中的抗輻射能力。
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