El Segundo, CA – 2025年8月 – 高效能功率轉換公司（EPC）今日宣布，北京知識產權法院已駁回由創芯科技（蘇州）有限公司（Innoscience）提出的上訴，從而再次確認EPC的中國專利號ZL201080015425.X的有效性，該專利名為“補償閘MISFET及其製造方法”（補償閘專利）。北京知識產權法院的這一最新決定進一步加強了EPC珍貴的知識產權組合，並鞏固了其作為增強模式氮化鎵半導體設備的先驅者的地位。
EPC的兩項涵蓋增強模式氮化鎵場效應晶體管（FETs）及其製造的專利曾在中國被創芯科技（蘇州）挑戰。中國國家知識產權局（CNIPA）曾在2024年4月和5月驗證了這兩項專利的有效性，但創芯科技要求重新考慮補償閘專利的決定（案號：（2024）京73 行初15061號）。
“EPC在氮化鎵功率設備的創新反映了近20年的研究和開發工作，” EPC的首席執行官兼共同創始人Alex Lidow表示。“我們歡迎北京知識產權法院的決定，這證明了我們知識產權的實力。”
值得注意的是，EPC繼續受益於美國國際貿易委員會的決定，該決定裁定創芯科技侵犯了EPC的知識產權。該裁決仍然完全有效，並導致禁止將侵權的創芯科技產品進口到美國。
EPC的氮化鎵功率晶體管提供比傳統矽設備更高的效率、更快的切換速度和更小的尺寸。這些經過驗證的專利被廣泛認為對現代增強模式氮化鎵FETs的結構和性能至關重要，這些FETs用於支持下一代系統，包括AI服務器、電動移動性、機器人技術、快速充電和自主平台。
關於宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司（EPC）是基於增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。
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