EPC 首款第七代 eGaN® 元件正式進入量產，相較於矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍
美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 1 月 30 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN）功率元件領導廠商 Efficient Power Conversion（EPC）宣布，其 EPC2366 正式開始量產，這是其第七代（Gen 7）eGaN® 功率電晶體系列中的首款產品。此第七代平台為電晶體效能樹立了全新的技術標竿。EPC2366 相較於同等規格的矽 MOSFET，效能最高可提升達 3 倍。其典型 RDS(on) 為 0.84 mΩ，且高度最佳化的 RDS(on) × QG 品質因數（FoM）12.6 mΩ·nC，能同時降低導通與切換損耗，並大幅改善熱效能。該元件專為高效率、高功率密度電源系統所設計，在同步整流、高密度 DC-DC 轉換、AI 伺服器電源及先進馬達驅動等應用中表現卓越。
該元件可支援最高 40 V 的汲極對源極電壓，以及最高 48 V 的瞬態電壓，連續汲極電流可達 88 A，脈衝電流高達 360 A，非常適合最嚴苛的電源系統需求。
由於採用小型 3.3 × 2.6 mm PQFN 封裝，該元件在高功率密度應用中具備優異的熱表現，其接面至外殼的熱阻僅為 0.6 °C/W。
EPC 執行長暨共同創辦人 Alex Lidow 表示：「我們所開發的第七代 GaN 平台在功率電晶體效能方面樹立了全新的技術標竿。40 V 的 EPC2366 是此系列中首款進入量產的產品。此外，EPC 目前已開始提供第七代 25 V 與 15 V 電晶體樣品，並預期在 2026 年上半年將有更多產品轉入量產。」
為加速設計導入與評估，EPC 同時提供 EPC90167 半橋評估板。該評估板採用低寄生佈局，整合兩顆 EPC2366 電晶體，支援標準 PWM 驅動訊號與彈性的輸入模式，為工程師在實際應用中評估效能提供參考平台。
價格與供貨資訊
EPC2366 目前已進入量產，並可透過 EPC 的全球經銷通路及直銷方式訂購，協助客戶在資料中心電源、同步整流級、馬達驅動及其他高功率密度電源轉換應用中進行規模化設計。
EPC2366 eGaN FET 以每捲 3,000 顆的包裝方式供貨，單價為 1.56 美元。
EPC90167 開發板單價為 211.65 美元。
EPC2366 與 EPC90167 示範板皆可透過 Digi-Key 即時供貨，詳情請造訪：https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc
有意以 GaN 解決方案取代矽 MOSFET 的設計人員，可使用 EPC GaN Power Bench 的交叉參考工具，依其特定操作條件尋找建議的替代元件。該工具位於：epc-co.com/epc/tw/設計支援/gan-power-bench/交互參照搜尋
關於宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司（EPC）是基於增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。
聯絡方式 ：
宜普電源轉換公司（EPC）：Efficient Power Conversion: Maurizio Di Paolo Emilio tel: +39 3381426036 email: [email protected]