EPC 的 GaN 技術強化瑞薩在高出貨量消費性電子與 AI 電源市場的競爭力。
美國加州埃爾塞貢多 – 2026 年 2 月 10 日 – 全球增強型氮化鎵（eGaN®）功率元件領導者宜普電源（Efficient Power Conversion，EPC）今日宣布，與全球頂尖的先進半導體解決方案及高電壓 GaN 電晶體供應商瑞薩電子株式會社（Renesas Electronics Corporation）達成一項全面的技術授權協議。
根據該協議，瑞薩將取得 EPC 經市場驗證的低電壓 eGaN 技術及其成熟的供應鏈生態體系，加速高效能 GaN 解決方案在各類市場的導入。未來一年內，EPC 與瑞薩將合作建立這些產品的內部晶圓製造能力。此外，瑞薩亦將對 EPC 多款已量產的熱門 GaN 元件進行第二來源生產，進一步提升客戶的供應鏈韌性。
隨著電力電子設計人員不斷追求更高效率、更高功率密度與更低碳足跡，矽材料的物理極限正日益限制效能提升與系統微型化。與矽相比，GaN 電晶體具備更高效率、更快的切換速度，以及顯著更小的封裝尺寸。這些優勢正重塑從消費性電子到 AI 資料中心等應用的電源轉換架構。本次聯盟在擴大客戶對 GaN 技術的可及性的同時，也透過合格的第二來源提供更高的供貨保障。
「EPC 與瑞薩正攜手打造全球聯盟，提供最先進的電源效率解決方案——降低 AI 資料中心成本，並強化自主系統的效能。這是我們產業與公司令人振奮的重要時刻，」EPC 執行長 Alex Lidow 表示。
瑞薩是一家年營收數十億美元、具備全球銷售、行銷與製造能力的半導體公司，近期已完成對 Transphorm 的收購，以強化其高電壓 GaN 產品組合。其 GaN 技術在 AC-DC 電源、EV 充電器、太陽能逆變器與工業馬達驅動等應用中表現卓越，即使在嚴苛的操作環境下亦能提供高可靠性。結合 EPC 在低電壓 eGaN 領域的專業優勢，瑞薩得以提供業界最完整的 GaN 功率產品組合之一，涵蓋低至高電壓應用，並進一步加速 GaN 技術革命。
「將業務擴展至低電壓 GaN，使我們能夠服務成長最快的電源市場，」瑞薩 GaN 事業部副總裁 Rohan Samsi 表示。「與 EPC 的這項協議補強了我們既有的 650V 以上高電壓產品組合，並使我們能夠掌握從 48V 降至 12V 甚至 1V 的 AI 電源架構等高出貨量市場，同時涵蓋用戶端運算與電池供電應用。」
關於宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司（EPC）是基於增強型氮化鎵（eGaN®）的功率管理元件的領先供應商，氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍，其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達（LiDAR）、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器，以及低成本衛星等應用。此外，宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedIn、YouTube、Facebook、Twitter、Instagram和優酷。
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