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並聯 GaN FETs:電流共享的挑戰與解決方案

並聯 GaN FETs:電流共享的挑戰與解決方案

電力電子學中最古老的挑戰之一是將多個晶體管並聯,以獲得更高電流的開關。這項任務很少是簡單的,因為兩個或更多的晶體管從來不會表現出完全相同的電氣參數,這阻止了電流的均勻分配。

對於早期的功率轉換器設計者來說,這項壇業更加艱難,因為當時可用的元件是電流驅動的雙極性接面晶體管(BJTs)。這意味著無法利用內在的穩定效應來幫助實現均勻的電流共享。事實上,所需的基極-射極電壓(VBE)隨著溫度的增加而降低(-2 mV/°C)—在正常操作下—因此即使是輕微的不平衡也會導致VBE較低的晶體管導通更多的電流並進一步加熱,導致故障。

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