EPC的CEO分析氮化鎵進入機器人和數據中心的趨勢

在過去幾年中，寬禁帶半導體的採用出現了驚人的增長，這似乎是一個朝著取代傳統硅產品的穩固趨勢。碳化矽已成功針對電動車和充電基礎設施，而氮化鎵 (GaN) HEMT最初則進入以消費者為導向的應用，主要是充電器和轉接頭。然而，GaN 的多功能性遠超過單純作為製造更輕更薄充電器的 MOSFET 替代品。

早期研究主要針對藍色 LED 和射頻功率放大器而設想的技術，然而展現出了卓越的電場強度和電子遷移率。這些特性與其製造“風格”完美契合。與硅功率元件不同，後者需要多個高溫擴散步驟來創建摻雜區域，GaN HEMT 的特點則歸功於外延層堆疊的材料界面，而非大規模摻雜配置。

電力電子新聞
2026年4月
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