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低壓 GaN 在 AI 電源密度方面超越 MOSFET

低壓 GaN 在 AI 電源密度方面超越 MOSFET

作者:Alex Lidow,宜普電源轉換公司(EPC)執行長;Alejandro Pozo,宜普電源轉換公司(EPC)應用工程總監;Michael De Rooij,宜普電源轉換公司(EPC)GaN 應用研究員

人工智慧正以前所未有的速度融入我們的職業與個人生活。透過簡化軟體開發、應對複雜的分析挑戰,以及自動化日常文件工作,AI 不再只是一項工具,而是我們創造與解決問題方式的根本性轉變。

這些新一代 AI 伺服器 的代價,很大程度上來自電力需求的指數級成長。功耗的核心是圖形處理器(GPU),它由數十億個微型電晶體構成,這些電晶體緊密整合在矽基板上,特徵尺寸小至 20 Å(約等於 DNA 分子雙螺旋的寬度)。啟動這些數十億個處理單元所需的功率,正以與其運算能力同樣快的速度增加。表 1 以 Nvidia 發布的至 2028 年路線圖為例進行說明。

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