氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第14章第1部分:氮化鎵場效應電晶體的小信號射頻性能 Posted 2013年6月3日 雖然氮化鎵場效應電晶體被設計及優化為一種開關功率器件,但該電晶體也具備良好的射頻特性。 本章是關於氮化鎵場效應電晶體在200 MHz至2.5 GHz頻率範圍的射頻特性的第1部分。 作者:宜普公司應用工程行政總監Michael de Rooij博士、產品應用副總裁Johan Strydom博士及Peak Gain Wireless總裁Matthew Meiller 閱讀文章 相關的熱門文章 基於GaN技術的各種應用:決定功率管理市場的下一步走勢 APEC 2017:GaN技術已經準備好,即將改變我們的生活方式 針對伺服器應用的新興技術 - 六大熱門趨勢 Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current Applications