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增强型氮化鎵場效應電晶體如何展現其超卓能力?
Posted 2012年2月6日
研討會: 在2012年2月9日舉行的電力電子應用技術研討會(APEC)
演講者: Alex Lidow博士
內容: Lidow博士是電源轉換公司首席執行長,為這家公司的共同創辦人及現有 HEXFET功率MOSFET技術的共同發明者之一。Lidow博士將在這個研討會和 工程師討論增强型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)如何在尺寸和器件表現方 面比矽功率MOSFET卓越很多。