氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第十部分:應用於高頻諧振轉換器 Posted 2012年9月1日 作者:宜普公司應用總監David Reusch 博士 雜誌:Power Electronics Technology 在過去的章節中,我們討論了氮化鎵場效應電晶體于硬開關、隔離及非隔離型轉換器應用中所具的優勢。 在第九部分,我們將展示氮化鎵器件在軟開關的應用中,相比目前的功率MOSFET器件,它可以改善效率及輸出功率密度。 閱讀全文 相關的熱門文章 基於GaN技術的各種應用:決定功率管理市場的下一步走勢 APEC 2017:GaN技術已經準備好,即將改變我們的生活方式 針對伺服器應用的新興技術 - 六大熱門趨勢 Rethinking Server Power Architecture in a Post-Silicon World How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current Applications