氮化鎵場效應電晶體的安全工作區域 Posted 2012年9月4日 雜誌:Bodo's Power Systems 作者:宜普公司產品品質及可靠性總監馬豔萍博士 摘要: 本文討論了相比功率MOSFET器件,氮化鎵場效應電晶體具有高電子密度和非常低的溫度系數,使它能夠在目前的高性能應用中具有明顯的優勢。 電子密度產生優異的RDS(ON),而正溫度系數防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。 閱讀文章 相關的熱門文章 Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications 為什麼採用氮化鎵元件? How2 Understand eGaN Transistor Reliability 專家於APEC 2024評估氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC) PODCAST: 用於電機控制和LiDAR應用的氮化鎵(GaN)