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無封裝高電子遷移率電晶體可實現高效電源轉換
Posted 2013年10月10日
封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,並增加阻抗和電感,從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝,使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比,具有相同成本的優勢。
雜誌:Compound Semiconductor
日期:2013年6月