高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素 Posted 2013年11月1日 在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。 Bodo’s Power Systems 客席編輯 Alex Lidow 2013年11月 相關的熱門文章 於無刷式直流伺服馬達，採用矽器件與採用氮化鎵場效應電晶體的功率逆變器的比較 eGaN FETs Enable More Than 4-kW/in3 Power Density for 48 V to 12 V Power Conversion 矽已經死亡 Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors 如何使用氮化镓器件：在高频無線電源傳送應用使用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）