如何使用氮化鎵:支援高頻開關的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET) Posted 2013年12月17日 本章我們回到討論硬開關轉換器,但不同的是電晶體在更高頻率的條件下工作,超越矽技術的實際限制。 EEWeb 作者: Alex Lidow 2013年12月 相關的熱門文章 Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications 功率半導體戰爭開始了 APEC 2019影片 矽已經死亡 PSDtv - EPC on Why Silicon is Dead at APEC 2019