Motor Drive Demos

馬達控制研討會

Motor Drive

ePower™ Stage

產品型號 配置 邏輯電路標稱電壓 (V) 輸入電壓最大值 (V)
RDS(on)
(mΩ)
典型值
額定輸出電流 (A) 特色 短路故障保護 TJ
(°C)
最大值
封裝尺寸
(毫米)
開發板
EPC2152 GaN FET
EPC2152 半橋
ePower™ Stage
12 70 10 12.5 電平切換電路、
自舉電路
欠壓閉鎖 150 LGA 3.65 x 2.59 EPC90120

GaN FETs 及集成电路

產品型號 配置 VDS RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)最大值
QG
(nC)
典型值
QGS
(nC)
典型值
QGD
(nC)
典型值
QOSS
(nC)
典型值
最大脈衝峰值電流 ID(A)
(25°C、Tpulse = 300µs)
封装
(mm)
半橋式開發板
EPC2101 GaN FET
EPC2101 半橋 60 11.5
2.8
3.3
13
1.1
3.9
0.5
2.2
9.3
45
80
350
BGA 6.05 x 2.3 EPC9037
EPC2102 GaN FET
EPC2102 半橋 60 4.9 8 2.5 1.5 26
31
220 BGA 6.05 x 2.3 EPC9038
EPC2039 GaN FET
EPC2039 單路 80 25 1.91 0.76 0.42 7.64 50 BGA 1.35 x 1.35 EPC9057
EPC2105 GaN FET
EPC2105 半橋 80 14.5
3.6
2.7
11
0.9
3
0.5
2.1
11
51
70
300
BGA 6.05 x 2.3 EPC9041
EPC2103 GaN FET
EPC2103 半橋 80 5.5 6.5 2.2 1.1 30
34
195 BGA 6.05 x 2.3 EPC9039
EPC2021 GaN FET
EPC2021 單路 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9034
EPC2106 GaN FET
EPC2106 半橋 100 70 0.73 0.24 0.14 3.96
4.68
18 BGA 1.35 x 1.35 EPC9055
EPC2212 GaN FET
EPC2212 單路(AEC-Q101) 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 N/A
EPC2001C GaN FET
EPC2001C 單路 100 7 7.5 2.4 1.2 31 150 LGA 4.1 x 1.6 EPC9013
EPC2045 GaN FET
EPC2045 單路 100 7 6 1.9 0.8 25 130 BGA 2.5 x 1.5 N/A
EPC2104 GaN FET
EPC2104 半橋 100 6.8 6.8 2.3 1.4 35
41
180 BGA 6.05 x 2.3 EPC9040
EPC2053 GaN FET
EPC2053 單路 100 3.8 11.4 4.1 1.5 45 246 BGA 3.5 x 2 EPC9093
EPC2022 GaN FET
EPC2022 單路 100 3.2 13.2 3.4 2.4 71 390 LGA 6.05 x 2.3 EPC9035
EPC2207 GaN FET
EPC2207 單路 200 22 4.5 1.3 0.7 23 54 BGA 2.9 x 0.9 EPC90124
EPC2215 GaN FET
EPC2215 單路 200 8 13.6 3.3 2.1 69 162 BGA 4.6 x 1.6 EPC9099
EPC2034C GaN FET
EPC2034C 單路 200 8 11.4 3.8 2.1 95 213 LGA 4.6 x 2.6 EPC9048C

氮化鎵元件的可靠性

在前十份報告 [1-10]中發佈的、不斷增長的知識基礎上,第十一階段產品可靠性測試報告進一步描述幾個關鍵的全新題目。從2010年3月[11]量產以來,氮化鎵(GaN)功率元件建立及累積了卓越的現場可靠性測試記錄。本文討論如何實現這個良好記錄的策略,是在各種測試條件下,採用失效性測試元件(test-to-fail)的方法,反復對元件進行應力測試,從而找出元件的失效原因,並且為業界構建更堅固的產品。

宜普電源轉換公司 的Alejandro Pozo博士、Shengke Zhang博士、Ricardo Garcia、John Glaser博士及Robert Strittmatter博士

第十一階段產品可靠性測試報告

Phase 11 reliability