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衆所周知，與傳統矽 FET 相比，氮化鎵 (GaN) FET 具備更卓越的電路性能。 我們將在本次網路研討會為您展示如何透過簡單且不昂貴的設計技巧，易於在您的設計中，採用GaN FET，跟使用矽FET一樣的簡單。
議題：發揮基於氮化鎵元件解決方案最高性能的設計提示
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柯志文（Larry Ke）於1998 年畢業於南京理工大學，獲得學士學位。Larry從事研發工作10餘年並從事電源產品技術支援10年，現於EPC公司任職高級現場應用工程師，為客戶提供技術支援，在各種應用領域，發揮氮化鎵元件的最高性能。
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