How2GaN夏季研討會

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氮化鎵元件自2010年3月開始量産，並在實驗室測試和大批量客戶應用中表現出非常高的可靠性，具有卓越的現場可靠性記錄。在本次網路研討會中，瞭解更廣泛的可靠性測試結果的信息，從而進一步認識GaN元件在各種應力條件下和應用中的行為，以及知道我們如何基於這些知識來創建更穩固的氮化鎵元件。

在本次網路研討會中，我們將討論：

基於物理的壽命模型證明在閘極應力總電壓和溫度範圍下所預測的eGaN元件壽命。
第一性原理數學模型從熱載流子散射到表面陷阱的基本物理特性，描述了eGaN FET中的動態RDS(on)效應。該模型對於預測元件在更複雜任務中經受不同電壓和溫度的壽命最有用。
元件在經歷四年和2260億小時的運行時間後所取得的現場可靠性數據，大部份在車用或電信基站應用進行測試。

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