會議議程
無繩機器人的未來：GaN 驅動的移動性、人工智能和機器視覺解決方案
隨著我們朝著機器人獨立運作的未來邁進，氮化鎵 (GaN) 成為一種變革性技術，為機器人的移動性、人工智能 (AI) 和機器視覺提供了卓越的解決方案。本次主題演講將探討 GaN 對這些關鍵領域的變革性影響，強調其在提升電機驅動效率、實現高級 AI 功能和改進機器視覺能力方面的作用。了解 GaN 驅動的解決方案如何改變機器人的未來，使自主機器人變得更加高效、智能和感知能力更強。
演講者：Alex Lidow
展商論壇：8 月 28 日，12:10 - 12:30
WLCSP GaN 功率器件的板級溫度循環壽命預測
晶圓級芯片級封裝 (WLCSP) 氮化鎵 (GaN) 功率器件已被部署到越來越多的高級應用中，這些應用要求具有高板級溫度循環 (TC) 可靠性。在這項研究中，通過實施失效測試方法 [1]，開發了一個綜合 TC 壽命模型，考慮了不同器件尺寸和不同的陸地網格陣列 (LGA) 錫球尺寸。通過 COMSOL [2] 有限元分析 (FEA) 模擬，基於焊料疲勞模型預測 TC 壽命。模擬結果與實驗數據一致，驗證了所提出的 TC 壽命模型。
演講者：Shengke Zhang 博士
海報對話會議：8 月 29 日，1:30 - 2:30
半橋配置中 eGAN® FET 的板側和背側熱管理技術比較
GaN FET 特性為轉換器提供高功率密度能力，具有快速開關和低導通電阻，然而，它們比硅器件更小，並且具有不同的封裝選擇。在應用中，這導致更高的熱通量密度，限制了轉換器的功率處理能力。需要各種熱策略來利用 GaN FET 的潛力，通過降低 PCB 和外部散熱器的熱阻。在配置選項中使用熱通孔、散熱片、PCB 兩側的散熱器和高性能熱界面材料 (TIM) 進行研究。實施這些技術可以在無散熱器的情況下將從結到環境的熱阻 (RθJA) 降低 30%，使用散熱器時可降低超過 60%。
演講者：Adolfo Herrera 博士
口頭會議：8 月 29 日，3:05 - 3:30
GaN HEMT 的占空比基重複柵極和漏極瞬態過電壓規範的驗證
重複瞬態過電壓振鈴是基於 GaN 的寬帶隙電源轉換器的常見開關特性。此前曾為漏極關斷和柵極開啟瞬態提出了 1% 占空比過電壓 (DCOvervoltage) 規範 [1,2]。在這項工作中，開發了一個綜合模型來考慮過電壓振鈴和標稱偏置對壽命的貢獻。實施電阻和感性硬開關電路來現場測量 RDS(on)，通過考慮 1% DCOvervoltage 預測的壽命驗證了漏極的 1% DCOvervoltage。考慮 1% DCOvervoltage 後，預測柵極壽命超過 50 年，失效率為 10 ppm，進一步驗證了所提出的規範。
演講者：Shengke Zhang 博士
口頭會議：8 月 30 日，3:30 - 3:55
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