下一代 GaN FET 建模:Mike Engelhardt 在 PCIM 展示 QSPICE 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 七月 02, 2026 在PCIM展會上,LTspice和QSPICE的建立者Mike Engelhardt解釋了為什麼傳統SPICE—最初為IC設計而建構—難以準確模擬功率元件,尤其是GaN FET。他回顧了歷史上的電容模型(Meyer、Yang–Chatterjee),以及它們在VDMOS和GaN中的局限性,並介紹了QSPICE如何導入原生GaN MOSFET模型(level 2026),以實現準確的電荷、輸出電容和準飽和行為建模。Engelhardt詳細說明了數值計算方面的改進、跨電容的正確處理方式,以及使QSPICE成為更快速、更穩健的電力電子模擬器的性能提升。 觀看影片 Tags: GaNMOSFET Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC