EPCSC401 示範板技術分析：適用於太空應用的抗輻射強化型 GaN DC-DC 降壓轉換器 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 十月 27, 2026 作者：Diego de Azcuénaga 本文從技術角度分析 EPCSC401 示範板的設計與性能，評估其抗輻射能力、熱效率及高頻切換拓撲結構。 航太電源系統設計對功率密度與效率的需求日益提高，已超越傳統矽 MOSFET 的物理極限，其熱損耗與受限的切換頻率對酬載重量造成重大負擔。因此，憑藉更寬的能隙與更高的電子遷移率，GaN 技術成為新太空（NewSpace）架構中不可或缺的突破性技術。EPCSC401 示範板有助於推動這項轉型，讓工程師能夠在極端輻射條件下評估同步式 GaN 功率級。 閱讀更多 – 《Electronics Era》，第20頁 Tags: GaN technology Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC