雜談GaN技術

與電壓等級一起，RDS(ON) 是描述 Si MOSFET 以及 GaN FETs 的普遍參數。RDS(ON) 是技術平台中設備大小的良好指標，從而也是其成本的指標。然而，在大多數開關電源轉換器中，損耗是導通損耗和開關損耗的組合。因此，RDS(ON) 並不是不同技術平台之間甚至同一技術平台內部性能的可靠指標。 尤其是在設計師從 Si MOSFET 轉換到 GaN FETs 時，這一點尤為真實。