雜談GaN技術

當寬能隙半導體進入市場時，其應用領域劃分相當明確。SiC 在600V以上電壓範圍挑戰矽，而 GaN 則在約100V至600V的應用中與矽競爭。

Power Systems Design
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近期氮化鎵（GaN）功率元件的進展顯示，其運作範圍已大幅擴展至 40 V 以下的低電壓應用領域。由於具備良好的導通性能、成熟且廣為理解的製造製程，以及經驗證的可靠性，矽 MOSFET 長期以來主導此電壓範圍。

PCIM Mesago
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