雜談GaN技術

現代顯示器，如筆記型電腦和PC顯示器，通常需要低功率升壓轉換器。在這種應用中，屏幕亮度為低到中等，且轉換器大多數時間在輕負載下運行，因此輕負載效率非常重要。eGaN FETs的低切換損耗可以幫助解決這個挑戰。本次GaN Talk將探討使用eGaN FETs在簡單且低成本的同步升壓拓撲中設計12 V到60 V、50 W的DC/DC電源模組，並具有低溫升特性。

直到最近，要從音頻放大器獲得高品質的聲音需要花費數千美元，並且依賴於大型、笨重且耗電的 class-A 放大器。現在，氮化鎵（GaN）場效應管（FETs）和集成電路（ICs）的出現正引領著高品質、低成本 class-D 音頻放大器的時代。

來賓 GaN 談話部落格：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

共同撰寫：Steve Colino

電力電子工程師不斷致力於設計具有更高效率和更高功率密度的設計，同時保持高可靠性並將成本降至最低。設計技術的進步和元件技術的改進使工程師能夠始終如一地實現這些目標。電力半導體是這些設計的核心，它們的改進對於更好的性能至關重要。在這篇EPC空間部落格中，我們將展示氮化鎵（GaN）電力半導體如何在空間應用的惡劣輻射環境中實現創新。

重新思考平凡並克服心理偏見

無刷直流 (BLDC) 馬達 越來越受歡迎，並且在機器人技術、電子移動和無人機中有著越來越多的應用。這些應用有特殊需求，例如輕量、小尺寸、低轉矩波動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，為馬達提供動力的變頻器需要以更高頻率運行，但同時需要先進技術來減少由此產生的較高功率損耗。增強模式氮化鎵 (eGaN ®) 晶體管和集成電路能夠在不產生顯著損耗的情況下以更高頻率運行。

高效能電源轉換 (EPC) 正在提升與老化的矽電源 MOSFET 和 100 V 等級的 eGaN 電晶體之間的性能距離。新的第五代「plus」裝置相比於前一代產品，擁有約 20% 更低的 RDS(on) 和更高的直流額定值。這種性能提升來自於厚金屬層的增加和從焊球轉換為焊條。

包裝的SEE免疫和抗輻射增強型氮化鎵（eGaN）器件相比老化的抗輻射硅MOSFET提供了顯著提升的性能，使得新一代電源轉換器在太空中能夠在更高頻率、更高效率和更高功率密度下運行，達到前所未有的水平。

除了性能和成本改進之外，GaN技術對電源轉換市場的最重大影響來自於其內在能力，可以在同一基板上集成多個設備。與標準的硅IC技術相比，GaN技術允許設計師以更簡單和更具成本效益的方式在單個芯片上實現單片電源系統。