雜談GaN技術

借助我們的死區時間優化指南，釋放基於氮化鎵元件的馬達控制器的潜力。提高效率、增强績效和提高投資回報率。

與電壓等級一起，RDS(ON) 是描述 Si MOSFET 以及 GaN FETs 的普遍參數。RDS(ON) 是技術平台中設備大小的良好指標，從而也是其成本的指標。然而，在大多數開關電源轉換器中，損耗是導通損耗和開關損耗的組合。因此，RDS(ON) 並不是不同技術平台之間甚至同一技術平台內部性能的可靠指標。 尤其是在設計師從 Si MOSFET 轉換到 GaN FETs 時，這一點尤為真實。

當引入如EPC的GaN電源FET和IC等“置換”技術，並且實現了新的性能水平時，對設計進行建模可以為電路的能力和需求提供舒適感和洞察力。本博客文章討論了最新添加到EPC GaN Power Bench，我們的在線建模工具庫，EPC的GaN FET Thermal Calculator！ 

GaN FETs 可以比 Si MOSFETs 切換得更快，這使得許多系統設計師會問−更快的切換速度如何影響 EMI？