雜談GaN技術

EPC 開發板提供在常見應用中評估 eGaN® FET 和 IC 的機會。例如，EPC9094 半橋開發板可以配置為降壓或升壓轉換器。EPC9094 具有新推出的 EPC2054 200 V 43 mOhm 最大 eGaN FET，封裝為 1.3 x 1.3 mm 2 x 2 針腳的 WLCSP。這個非常小的 FET 的極低 RDS(on) 值使其能夠支持從高壓供應的高電流負載。為了展示這種能力，我們將把 EPC9094 開發板修改為降壓轉換器。使用 140 V 的供應電源，Spice 模擬顯示 28 V 輸出在 2.5 A 將提供高達 90% 的效率。我們選擇了一個 Vishay IHLP-4040DZET330M11，33 uH，4.4 A，95 mOhm 最大，10.2 x 10.8 x 4 mm 的電感，這將在 500 kHz 下提供 40% 的漣波。輸出電容由四個 10 uF Y5V 50V 1210 陶瓷電容組成。模擬顯示，當切換頻率在 500 kHz 降至 375 kHz 之間變化時，漣波電流和總效率之間存在權衡。模擬還顯示，調整死區時間以允許從高到低的完全 ZVS 轉換最大化了降壓轉換器在輕負載下的效率性能。

直到最近，要從音頻放大器獲得高品質的聲音需要花費數千美元，並且依賴於大型、笨重且耗電的 class-A 放大器。現在，氮化鎵（GaN）場效應管（FETs）和集成電路（ICs）的出現正引領著高品質、低成本 class-D 音頻放大器的時代。

來賓 GaN 談話部落格：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

脈衝激光雷達系統通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光進行光學發射。  在 1400 nm 以上時，眼睛的各種元素會吸收光線，阻止其到達並損害視網膜。  隨著激光功率的增加，並不是所有的光都被吸收，在某些情況下可能會發生視網膜損傷。  由於 905 nm 的光線不被吸收，它確實會到達視網膜，因此必須小心控制能量密度以防止損壞。

基於氮化鎵 (GaN) 的解決方案結合數位控制和高性能磁性材料，可以提高效率、縮小尺寸並降低高密度計算應用（如超薄筆記型電腦和高端遊戲系統）的系統成本。

共同撰寫：Steve Colino

電力電子工程師不斷致力於設計具有更高效率和更高功率密度的設計，同時保持高可靠性並將成本降至最低。設計技術的進步和元件技術的改進使工程師能夠始終如一地實現這些目標。電力半導體是這些設計的核心，它們的改進對於更好的性能至關重要。在這篇EPC空間部落格中，我們將展示氮化鎵（GaN）電力半導體如何在空間應用的惡劣輻射環境中實現創新。

重新思考平凡並克服心理偏見

無刷直流 (BLDC) 馬達 越來越受歡迎，並且在機器人技術、電子移動和無人機中有著越來越多的應用。這些應用有特殊需求，例如輕量、小尺寸、低轉矩波動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，為馬達提供動力的變頻器需要以更高頻率運行，但同時需要先進技術來減少由此產生的較高功率損耗。增強模式氮化鎵 (eGaN ®) 晶體管和集成電路能夠在不產生顯著損耗的情況下以更高頻率運行。

磚式DC-DC轉換器廣泛應用於數據中心、電信和汽車應用，將標稱48V匯流排轉換為（或從）標稱12V匯流排。氮化鎵（GaN）集成電路（IC）技術的進步使得半橋和閘極驅動器得以集成，從而形成單芯片解決方案，簡化了佈局、最小化面積並降低成本。