信息娛樂系統/D類音頻放大器

現代信息娛樂系統包含許多先進功能，例如觸摸屏功能、藍牙通信、數位和高清電視、衛星廣播、GPS 導航，以至遊戲。這些系統對車載動力系統的要求更高。

與矽 MOSFET 相比，氮化鎵元件的尺寸更小且電容更小。與最先進的矽 MOSFET 相比，氮化鎵電晶體具備卓越的品質因數(FoM)，在更高的頻率下可實現更小、更高效、運行溫度更低和成本更低的DC/DC轉換器解決方案。這些系統可以在AM無綫電頻段以上高效運行。

除了DC/DC解決方案外，GaN FET是D類音頻系統的理想元件。對於D類系統，音頻性能受FET特性所影響。基於GaN FET的D類音頻放大器可實現更高的保真度。

產品型號	描述	輸出功率	頻率響應
KS25-3WBAEVALZ	三合一智慧揚聲器參考設計n	在 8 ohms負載，輸出功率為100 W x 1 及25 W x 1	20Hz to 20kHz, +/-0.5dB	與Renesas公司聯繫
DigiGaN-200S	面向D類音訊放大器、具有DSP和基於高效eGaN FET的模組	50 W x 4 / 8 Ω 200 W x 2 / 8 Ω	20Hz-20kHz +/-0.2dB	與EAS公司聯繫
DigiGaN-400S	面向D類音訊放大器、具有DSP和基於高效eGaN FET的模組	100 W x 4 / 8 Ω 400 W x 2 / 8 Ω	20Hz-20kHz +/-0.2dB	與EAS公司聯繫
eGaNAMP2001	D類音頻放大器模組	200 W x 4 / 8 Ω 400 W x 2 / 8 Ω	20Hz-20kHz +/-0.5dB	與EAS公司聯繫
eGaNAMP1002	D類音頻放大器模組	100 W x 4 / 8 Ω 400 W x 2 / 8 Ω	20Hz-20kHz +/-0.5dB	與EAS公司聯繫
EPC9192	2 x 700 W/4 Ω Class-D Amplifier	700 W / 4 Ω	5Hz-20kHz +/-0.5 dB	尋找授權經銷商

我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求，請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

產品型號	狀況	配置	V_DS 最大值	V_GS 最大值	最大值 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 典型值 (nC)	Q_GS 典型值 (nC)	Q_GD 典型值 (nC)	Q_OSS 典型值 (nC)	I_D (A)	脈衝電流 I_D (A)	封裝 (mm)
EPC2214	Active	單路和AEC認證	80	6	20	1.8	0.5	0.3	8	10	47	BGA 1.35 x 1.35	尋找授權經銷商
EPC2252	Preferred	單路和AEC認證	80	6	11	3.5	1	0.5	15	8.2	75	BGA 1.5x1.5	尋找授權經銷商
EPC2204A	Preferred	單路和AEC認證	80	6	6	5.7	1.8	0.8	25	29	125	LGA 2.5 x 1.5	尋找授權經銷商
EPC2218A	Preferred	單路和AEC認證	80	6	3.2	10.5	3.2	1.5	46	60	231	LGA 3.5 x 1.95	尋找授權經銷商