資料中心AC/DC電源轉換

AC/DC電源轉換
氮化鎵元件提高功率密度和降低成本

雲計算、可穿戴設備、機器學習、自動駕駛和物聯網等應用的擴展實現了更加數據密集的世界、對資料中心的需求更大和功耗隨之而增加。交流到直流的開關電源的效率、功率密度和成本非常重要，從而推動了對GaN FET解決方案的需求，以實現具有超高效率的PFC前端整流器解決方案。

由於Titanium 80+的效率要求加速了要求最高功率密度的發展趨勢，因此面向資料中心供電的圖騰柱PFC逐漸普遍。氮化鎵技術的快速開關在不影響PFC設計效率的情況下提高了功率密度。

氮化鎵場效應電晶體和IC還能提高DC/DC電源轉換400 V匯流排電壓爲48 V或12 V的效率和縮小尺寸。在次級側、同步整流電路中，氮化鎵場效應電晶體可以提供更低的閘極驅動和傳導損耗、零反向恢復（Q_RR）、更高的開關頻率，而且尺寸僅爲MOSFET解決方案的1/15。氮化鎵場效應電晶體的並聯能力比矽的同類產品更好，以實現更高的功率和可靠性。氮化鎵場效應電晶體和IC還具有出色的熱性能。

參考設計

面向資料中心的AC/DC參考設計

	產品型號	描述	V_IN	V_OUT	l_OUT (A)	F_SW (kHz)	氮化鎵器件型號
	EPC91107	5 kW 四級圖騰柱 PFC	200 – 277 V_{AC_RM}	400 V_DC	12.5 A		EPC2304	尋找授權經銷商
	PMP20978	GaNの同期整流付き1 kWの共振コンバータ	390 V	48 V	21 A		EPC2033	Contact TI

我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求，請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

白皮書：採用低壓 GaN 的 ISOP 拓撲實現低成本、低外形的 800 VDC 轉 12.5 V DC-DC 轉換器

產品

面向資料中心AC/DC電源轉換的推薦元件

產品型號	狀況	配置	V_DS 最大值	V_GS 最大值	最大值 R_DS(on) (mΩ) @5V_GS	Q_G 典型值 (nC)	Q_GS 典型值 (nC)	Q_GD 典型值 (nC)	Q_OSS 典型值 (nC)	I_D (A)	脈衝電流 I_D (A)	封裝 (mm)
EPC2371	Engr	單路	25	6		17	5	2	18	88	412	QFN 3.3 x 2.6	尋找授權經銷商
EPC2306	Preferred	單路	100	6	3.1	12.3	4.3	1.1	44	63	197	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2302	Preferred	單路	100	6	1.8	23	8.9	2.3	85	133	408	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2367	Preferred	單路	100	6	1.5	17	5.3	2.4	54	101	420	QFN 3.3 x 3.3	尋找授權經銷商
EPC2361	Preferred	單路	100	6	1	28	8.5	3.8	90	133	697	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2308	Preferred	單路	150	6	6	10.6	3.8	1.4	50	63	157	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2305	Preferred	單路	150	6	3	22	6.6	2.1	103	133	329	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2307	Preferred	單路	200	6	10	10.1	3.5	1.2	58	63	130	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商
EPC2304	Preferred	單路	200	6	5	21	7.5	2.6	115	133	260	QFN 3 x 5	尋找授權經銷商