用於通信應用的氮化鎵元件

波峰追蹤

高頻、低功耗、降低系統成本

波峰追蹤是一種電源技術,用於通過追蹤功率需求來提高射頻功率放大器的能效,而不是當今的固定電源系統。波峰追蹤用於手機意味著更長的通話時間,而用於基站則意味著更小、成本更低的放大器,因為它用更少的能量且操作成本更低。

開關轉換速度在亞納秒範圍內的氮化鎵功率電晶體使能波峰追蹤轉換器和寬能隙射頻功率放大器設計。GaN FET的超快開關支持高頻多相降壓轉換器和其他用於波峰追蹤的電源管理拓撲。

Communications GaN Envelope Tracking

參考設計

採用高速開關電源、半橋拓撲的開發板

產品型號 描述 VIN VOUT lOUT
(A)
氮化鎵器件型號  
TIDA-01634 Demonstration Board
TIDA-01634 基於氮化鎵元件的功率級參考設計,可在數兆赫(MHz)至高達50
兆赫高頻率下操作,用於高速DC/DC轉換器
20 to 60 5 to VIN-5 5 EPC8009 尋找授權經銷商
EPC9066 Demonstration Board
EPC9066 配備同步自舉電路、驅動器的半橋元件 32 40 2.7 EPC8004 尋找授權經銷商
EPC9067 Demonstration Board
EPC9067 配備同步自舉電路、驅動器的半橋元件 52 65 2.7 EPC8009 尋找授權經銷商
EPC9068 Demonstration Board
EPC9068 配備同步自舉電路、驅動器的半橋元件 80 100 2.7 EPC8010 尋找授權經銷商

我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

產品

用於波峰追蹤的推薦氮化鎵元件

產品型號 狀況 配置 VDS
最大值
VGS
最大值
最大值
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
典型值
(nC)
QGS
典型值
(nC)
QGD
典型值
(nC)
QOSS
典型值
(nC)
ID (A) 脈衝電流 ID
(A)
封裝
(mm)
EPC8004 Active 單路 40 6 110 0.37 0.12 0.047 0.63 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC8002 Active 單路 65 6 480 0.133 0.057 0.015 0.344 2 2 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC8009 Active 單路 65 6 130 0.37 0.12 0.055 0.94 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC2038 Active 帶閘極二極體的單路 100 6 3300 0.044 0.02 0.004 0.134 0.5 0.5 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC2038 Active 帶閘極二極體的單路 6 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC2037 Active 單路 100 6 550 0.115 0.032 0.025 0.6 1.7 2.4 BGA 0.9 x 0.9 尋找授權經銷商
EPC8010 Active 單路 100 6 160 0.36 0.13 0.06 2.2 4 7.5 LGA 2.05 x 0.85 尋找授權經銷商
EPC2051 Preferred 單路 100 6 25 1.8 0.6 0.3 7.3 1.7 37 BGA 0.85 x 1.3 尋找授權經銷商
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