2024年8月28日星期三 - 2024年8月30日星期五
PCIM Asia 2024
地點：中國深圳
歡迎蒞臨PCIM Asia 2024與EPC氮化鎵專家會面！
我們將在 PCIM Asia展览会的 11 號展廳 、F01展位與您會面，分享關於氮化鎵技術、產品和應用的最新發展和知識。請發送電子郵件至[email protected]告訴我們您希望與氮化鎵專家會面的時間，齊來討論您的氮化鎵設計！
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2024年9月1日星期日
第26届國際電機會議（ICEM）
地點：意大利都靈
全體會議：面向新一代馬達控制的氮化鎵技術
演講者：Alex Lidow
氮化鎵元件的可靠性和產品壽命預測
演講者：Alex Lidow
氮化鎵元件在許多不同應用中的普及化，需要不斷積累氮化鎵元件的可靠性統計數據和研究氮化鎵元件失效的基本物理原理。本演講將介紹在各種條件下，利用測試元件至失效的方法來測量和預測氮化鎵元件壽命的策略。這些信息可用於爲行業創造更强大、更高性能的氮化鎵產品。
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2024年9月2日星期一 - 2024年9月2日星期一
ECCE Europe 2024
地點：
氮化鎵場效應電晶體模型通過實驗多脈衝測試驗證
揚聲器: Vincenzo Barba
在功率電子設計中，驗證電子開關的模型至關重要。最先進的寬能隙技術晶體管是氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）。已有多種晶體管模型被開發用於轉換器設計中。更精確的器件等效電路基於Curtice和Angelov模型。本文討論了一種常關型氮化鎵場效應電晶體的模型描述和實驗驗證。在本文中，驗證是通過比較在LTSpice軟體中實施的模型模擬波形與實驗波形的重疊來實現的。使用配置有半橋的氮化鎵場效應電晶體的實驗板來測試該器件，考慮了快速和慢速開關性能。多脈衝測試通過實驗測量受測氮化鎵場效應電晶體的電壓和電流波形。在導通和關斷瞬態期間，探索並比較了多種電流感測解決方案來感測晶體管電流，例如通過分流電阻間接測量、Rogowski線圈和霍爾效應電流探頭。所獲得的結果允許轉換器設計師使用該模型來模擬複雜的功率轉換器拓撲，並能滿意地確信模擬的氮化鎵場效應電晶體在靜態和開關條件下代表實際運行情況。
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2024年9月18日星期三 - 2024年9月19日星期四
PowerUP會議和博覽會
地點：意大利米蘭
這是一次多麽漫長且奇怪的旅程
演講者：Alex Lidow
隨著氮化鎵元件這種出色的寬帶隙半導體逐漸淘汰老化的矽MOSFET，它在多種應用中已經過了其臨界點。在本次主題演講中，我們將回顧從功率MOSFET接管現有雙極電晶體的功率轉換領域開始所學到的關鍵發展經驗。隨著不同應用放弃使用矽電晶體而轉用氮化鎵電晶體，我們將分享這兩種元件的相似性和差異性。這些經驗也奠定了我們未來幾年的路綫圖。
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2024年11月4日星期一 - 2024年11月6日星期三
第11届IEEE寬頻隙功率器件和應用研討會(WiPDA)
地點：俄亥俄州代頓
歡迎蒞臨WiPDA 2024與EPC氮化鎵專家會面!
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2024年11月12日星期二 - 2024年11月14日星期四
2024年Electronica電子展
地點：德國慕尼克
2024 年Electronica電子展見！
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