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EPC新推於市場上具有最低導通電阻的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

EPC新推於市場上具有最低導通電阻的100 V抗輻射電晶體, 用於要求嚴格的航太應用

宜普電源轉換公司(EPC)擴展了其抗輻射氮化鎵產品系列,新推的100 V元件用於要求嚴格的機載和其他高可靠性環境的電源轉換解決方案,與目前市場上的任何100 V耐輻射電晶體相比,它具有最低的導通電阻。

EPC公司宣佈推出100 V、3.9 mΩ、345 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7018 r,尺寸爲13.9 mm2,其總劑量等級大於1 Mrad,綫性能量轉移(LET)的單一事件效應(SEE)抗擾度爲85 MeV/(mg/cm2)。與EPC7014、EPC7007和EPC7019耐輻射產品系列相同,都是採用晶片級封裝。封裝元件由EPC Space.提供。

憑藉更高的擊穿强度、更低的閘極電荷、更低的開關損耗、更優越的導熱性和超低的導通電阻,氮化鎵功率元件明顯優於矽基元件,可以實現更高的開關頻率,用於要求嚴格的航太任務,可實現更高的功率密度、更高的效率,更小型化和更輕的電路。與矽解決方案相比,基於氮化鎵元件的解決方案可以在更高的總輻射量、SEE 和LET水平下工作。

受益於EPC7018的高性能的應用包括DC/DC電源、馬達控制、光達、深層探測以及用於航太應用、衛星和航空電子設備的離子推進器。

EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow說:「EPC7018是用於航太應用的高功率且具有超低導通電阻的器件,讓設計工程師實現新一代的電源轉換和馬達控制器,其工作頻率更高、效率更高和功率密度更高,這是以前無法實現的。」

價格和供貨

EPC7018備有工程樣品,並將於2022年12月批量出貨。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵(eGaN)的功率管理器件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET器件高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器雷射雷達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw。eGaN 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註册商標。關注EPC公司:LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡人 :

宜普電源轉換公司(EPC):Winnie Wong ([email protected])