How to GaN Webinar Series

產品可靠性網路研討會

如何反覆測試元件以構建比矽元件更穩固的氮化鎵功率元件
(Conducted in Mandarin, English, and Japanese)

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參加網路研討會，學習如何使用：

  • 基於物理學的元件壽命模型，驗證在閘極應力測試下、整個電壓和溫度範圍內所預測到的eGaN元件壽命數據。
  • 基於“第一原理”的數學模型，透過瞭解進入表面陷阱的熱載流子的基本物理學原理，描述eGaN FET動態導通電阻的影響。該模型在基於更複雜任務剖面的元件壽命評估時，最有效預測在整個電壓和溫度範圍內的元件壽命。
  • 在四年內受測元件操作達2,260億小時的現場可靠性數據，其中大部份元件用於汽車應用或電訊基站。

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Alex Lidow

Alex Lidow現為宜普電源轉換公司（EPC）的首席執行官及共同創辦人。在創辦宜普電源轉換公司之前，Lidow博士是國際整流器公司（NYSE:IRF）的首席執行官。他是HEXFET功率MOSFET的共同發明者，除了擁有多項與功率半導體技術相關的專利權外，Lidow博士發表了許多與這些技術相關的著作，並且與另外三位作者共同著作《氮化鎵電晶體—高效功率轉換元件》教科書。該教科書出版了第三版，由John Wiley & Sons出版。Lidow博士獲得美國加利福尼亞理工學院應用物理理學學士學位及斯坦福大學應用物理博士學位元元。

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