EPC2030：增强型功率電晶體

VDS, 40 V
RDS(on), 2.4 mΩ
ID, 48 A
脉衝 ID, 490 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2030 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.6 mm x 2.6 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 負載點（POL）轉換器
  • 同步整流

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:已提供新型元件（NDO)
面向新設計，EPC 氮化鎵專家推薦EPC2067NDO(已提供新型元件)：這是前代元件，雖然您仍然可以採用，但請使用我們推薦的新型元件 - 它的價格更好和在大多數應用中性能更高。
尋找授權經銷商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎？
向GaN技術專家請教

數據表

演示／開發板

品質及可靠性

設計資源

應用筆記

更改產品規格通告

器件模型

向EPC代表提問