EPC2054: 200V、32A 增强型GaN功率電晶體

VDS, 200 V
RDS(on), 43 mΩ
ID, 3 A
脉衝 ID, 32 A

EPC2054 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.3 mm x 1.3 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 光學遙感技術/脉衝式功率應用
  • D類音訊放大器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:可供購買
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