EPC2090:用於高效能電源轉換的 100 V,5.2 mΩ GaN FET

VDS, 100 V
最大值 RDS(on), 5.2 mΩ
ID, 46 A
脉衝 ID, 125 A

EPC2090 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 2.3 mm x 1.45 mm
銅柱

應用

  • 用於封裝集成的銅柱
  • DC/DC功率轉換
  • 雷射雷達
  • 同步整流器
  • 負載點(POL)轉換器
  • USB-C
  • D類音頻放大器
  • LED照明
  • 電動交通

優勢

  • 超高效率
  • 沒有反向恢復
  • 超低QG
  • 尺寸更小型化
產品狀況:推薦
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教