EPC2091：用於高效能電源轉換的 100 V，2 mΩ GaN FET

VDS, 100 V
最大值 RDS(on), 2 mΩ
ID, 126 A
脉衝 ID, 350 A

EPC2091 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.23 mm x 2.88 mm
銅柱

應用

  • 用於封裝集成的銅柱
  • DC/DC功率轉換
  • 雷射雷達
  • 同步整流器
  • 負載點（POL）轉換器
  • USB-C
  • D類音頻放大器
  • LED照明
  • 電動交通

優勢

  • 超高效率
  • 沒有反向恢復
  • 超低QG
  • 尺寸更小型化
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