EPC1001:增强型功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on), 7 mΩ
ID, 25 A

EPC1001 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 硬開關與高頻電路
  • D類音頻放大器

優勢

  • 超高效率
  • 超低 RDS(on)
  • 超低 QG
  • 超小外形尺寸
產品狀況:停產產品
在全新設計中,請採用EPC2001產品
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教