EPC1009：增强型功率電晶體

VDS, 60 V
RDS(on), 30 mΩ
ID, 33 A

EPC2007 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.7 mm x 1.1 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 硬開關與高頻電路
  • D類音頻放大器

優勢

  • 超高效率
  • 超低 RDS(on)
  • 超低 QG
  • 超小外形尺寸
產品狀況:停產產品
在全新設計中，請採用EPC2007產品
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