EPC2010C：增强型功率電晶體

VDS, 200 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 22 A
脉衝 ID, 90 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2010C Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 3.6 mm x 1.6 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 隔離式DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
  • 高頻硬開關及軟開關技術
  • D類音頻放大器
  • 光學遙感技術/脉衝式功率應用

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:停產產品
可考慮採用EPC2207或透過"向氮化鎵專家提問”與EPC公司一起討論替代方案。
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