EPC2012C:增强型功率電晶體

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 5 A
脉衝 ID, 22 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2012C Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.7 mm x 0.9 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 隔離式DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
  • D類音頻放大器
  • 無線電源傳送

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:可供購買
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教