EPC2302: 100V、133 增强型GaN功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on), 1.8 mΩ
ID, 133 A
脉衝 ID, 408 A

EPC2302 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封裝尺寸：3 mm x 5 mm

應用

  • AC-DC 充电器、开关式电源（SMPS）、适配器、电源供应器
  • 高频 DC-DC 转换输入（降压、升压、降压-升压 和 LLC）
  • 馬達驅動器
  • 高功率密度 DC-DC 模組
  • 同步整流器
  • 太陽能MPPT

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
  • 具有裸露頂部的熱增強封裝（Rthjc = 0.2 °C/W）和可潤濕側翼
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