EPC23101: 100 V、65 A 的ePower™ 晶片組

與EPC2302配成輸出電流可高達65 A的功率級
整合了半橋驅動器、自舉電路和
高側FET
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲65 A
最大輸入電壓爲100 V

帶有內部閘極驅動器的整合式高側eGaN^® FET
高側FET R_DS（on）爲3.3 mΩ
閘極驅動器輸出用於驅動外部低側eGaN FET
5 V外部偏置電源
獨立的高側和低側控制輸入
3.3 V或5 V CMOS輸入邏輯電平
高開關頻率，可高達3 MHz
穩固的電平轉換器可在硬開關和軟開關條件下運行
對快速開關瞬態的誤觸發免疫
高側自舉電源的同步充電
內部高側偏置電源的欠壓鎖定
採用QFN封裝、兼容高側和低側元件的晶片組，兩個元件之間有優化的引脚佈局（請參看EPC2302）。
Thermally enhanced package with exposed top (Rthjc = 0.4 degC/W) & wettable flank

產品狀況:停產產品
透過"向氮化鎵專家提問”聯絡EPC，討論替代方案。

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