EPC23102: 100 V、35 A 的ePower™ 晶片組

集成高側和低側 eGaN FET，帶內部柵極驅動器和電平轉換器
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲35 A
最大輸入電壓爲100 V

EPC23102 GaN PowerIC
封裝尺寸：3.5 mm x 5 mm

特點

  • 5 V外部偏置電源
  • 獨立的高側和低側控制輸入
  • 3.3 V或5 V CMOS輸入邏輯電平
  • 邏輯鎖定：當輸入端同時為高電位時，命令兩個 FET 同時關閉
  • 外部電阻可調節開關節點的開關時間，以及抑制超出電源軌和低於地電位的過壓尖峰
  • 穩固的電平轉換器可在硬開關和軟開關條件下運行
  • 對快速開關瞬態的誤觸發免疫
  • 高側自舉電源的同步充電
  • 禁用輸入時，從 VDRV 電源進入低靜態電流模式
  • 低側 VDD 電源上電復位
  • 高側 VBOOT 電源欠壓鎖定
  • Active gate pull-down for HS FET and LS FET with loss of VDRV supply
  • 熱增強型 QFN 封裝，帶頂部裸露散熱面，從結到頂面散熱器實現低熱阻

應用

  • 降壓、升壓、降壓-升壓轉換器
  • 半橋、全橋 LLC 轉換器
  • 電機驅動逆變器
  • D 類音頻放大器
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