集成高側和低側 eGaN FET，帶內部柵極驅動器和電平轉換器
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲20 A
最大輸入電壓爲100 V
封裝尺寸：3.5 mm x 5 mm
特點
- 5 V外部偏置電源
- 具使能邏輯的單輸入 PWM 腳位
- 3.3 V或5 V CMOS輸入邏輯電平
- 外部電阻可調節開關節點的開關時間，以及抑制超出電源軌和低於地電位的過壓尖峰
- 穩固的電平轉換器可在硬開關和軟開關條件下運行
- 對快速開關瞬態的誤觸發免疫
- 高側自舉電源的同步充電
- 關斷/待機低電位有效輸入可使器件從 VDRV 電源進入低靜態電流模式；同時會立即停用 PWM
- 100% 導通能力支援過調變
- 低側 VDD 電源上電復位
- 高側 VBOOT 電源欠壓鎖定
- 當 VDRV 電源遺失時，對 HS FET 和 LS FET 提供有源閘極下拉
- 熱增強型 QFN 封裝，帶頂部裸露散熱面，從結到頂面散熱器實現低熱阻
應用
- 降壓、升壓、降壓-升壓轉換器
- 半橋、全橋 LLC 轉換器
- 電機驅動逆變器
- D 類音頻放大器
產品狀況:工程產品
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