EPC2801：增强型功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on), 7 mΩ
ID, 25 A
High Lead Bump Finish: 95%Pb/5%Sn

EPC2801 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 高頻硬開關及軟開關技術
  • D類音頻放大器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
元件已過時/停產
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該型號的無鉛版本，請參看EPC2001C
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