摩爾定律的復活:第四代氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)

Moore’s Law Revival: Gen4 eGaN® FETs
直流-直流轉換器評估板
EPC9018: 12 V轉1.2 V
EPC9019: 48 48 V轉12 V

氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續在電源轉換性能方面提高業界基準。第四代氮化鎵器件的電壓範圍爲30 V至200 V,在性能上遠遠拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。新一代器件具有更低導通電阻、更低電容、更大電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

  • 更低導通電阻(RDS(on))
    由於全新氮化鎵場效應電晶體系列可降低一半導通電阻,因此可支持大電流、高功率密度的應用。
  • 進一步改善品質因數(FOM)
    與前代器件相比,由於新一代氮化鎵場效應電晶體把硬開關FOM降低一半,因此在高頻功率轉換應用可進一步提高開關性能。
  • 擴展電壓範圍
    由於可受惠于采用氮化鎵場效應電晶體的應用擴展至30 V的應用,因此可推動更多應用包括更高功率的直流-直流轉換器、負載點轉換器、支持隔離型電源供電的同步整流器、電腦及伺服器。

第四代産品數據表

宜普産品型號 電壓 最高導通電阻值RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉衝電流峰值ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)
半橋開發板
        標準 低占空比
EPC2023 30 1.45 590 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 560 EPC9032  
EPC2020 60 2.2 470 EPC9033  
EPC2021 80 2.2 390 EPC9034 EPC9019
EPC2022 100 3.2 390 EPC9035  
EPC2019 200 43 42 EPC9014