EPC8000氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)系列

功率系統及射頻設計工程師現在可以利用高性能幷於低GHz開關頻率範圍工作的氮化鎵(GaN)功率電晶體實現矽功率器件所不能推動的創新設計。