Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

氮化鎵(GaN)場效應電晶體驅動器和控制器

於基於矽元件的系統相比,基於eGaN® FET的功率轉換系統具備更高的效率、更高的功率密度及其總系統成本可以更低。這些優勢刺激了支援基於氮化鎵設計的電力電子元件生態系統的增長,包括可以提升氮化鎵場效應電晶體性能的閘極驅動器、控制器及無源元件的發展。

半導體供應商例如uPI半導體TIMicrochip繼續推出驅動器及控制器,從而支援對基於氮化鎵元件設計與日俱增的需求。

以下是目前與eGaN FET相容的積體電路列表:

如何使用氮化鎵元件視頻04a–設計基礎:閘極驅動器。 本視頻介紹應用於高性能功率轉換的氮化鎵電晶體的基礎設計技術。
 

面向降壓和升壓轉換器、與氮化鎵元件兼容的控制器

器件型號 製造商 功能 Input 描述 頻率
LTC7890Analog DevicesBuck5 - 100 VDual, made-for-GaN100 kHz - 3 MHz
LTC7891Analog DevicesBuck5 - 100 VSingle, made-for-GaN100 kHz - 3 MHz
ISL81806RenesasBuck5 - 80 VDual or 2-Phase, made-for-GaN100 kHz - 2 MHz
ISL81807RenesasBoost5 - 80 VDual or 2-Phase, made-for-GaN100 kHz – 2 MHz
MIC2132 MicrochipBuck5 - 75 V 2-phase, ultrafast transient response, stackable to 8 phases 100 kHz – 1 MHz
RT6190RichtekBuck/Boost5 - 36 V4-FET, Bidirectional Buck-Boost, I2C Interface250 kHz - 1 MHz
LT8390AAnalog DevicesBuck/Boost5 - 60 V4-FET, Buck/Boost600 kHz - 2 MHz
LM5141Texas InstrumentsBuck5 - 65 VSingle440 kHz - 2.2 MHz
LM5140-Q1 Texas InstrumentsBuck5 - 65 V Dual 440 kHz - 2.2 MHz
dsPIC33CK32MP102MicrochipBuck or Boost(external driver)100 MHz Single-Core 16-bit DSCUp to 100 MHz (core)
NCP8111On SemiBuck(external driver)3 Phase, VR12.5-6, Digital Controller, SVID and I2C Interfaces250 kHz − 5 MHz
LTC7800Analog DevicesBuck5 - 60 VSingle, Low IQ. GaN320 kHz - 2.25 MHz
MIC2103/4 MicrochipBuck5 - 75 V Adaptive On-Time Control 200 kHz - 600 kHz
ISL8117ARenesasBuck5 - 60 VSingle100 kHz - 2 MHz
TPS40400 Texas InstrumentsBuck5 - 20 V 30 A, PMBus 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G Texas InstrumentsHalf-Bridge(external driver) Half-Bridge, D-CAP+ Controller, optimized for 48-V GaN DC/DC, I2C 300 kHz - 1 MHz

與同步整流器相容的控制器

器件型號 製造商 描述 包含閘極驅動器
UCD7138 Texas Instruments 同步整流器控制器 Yes
TEA1993TS NXP 同步整流器控制器 Yes
TEA1995T NXP 雙路的同步整流器控制器 是(雙路)
TEA1998TS NXP 同步整流器控制器 Yes
NCP4305A On Semi 二次側同步整流的控制器 Yes
NCP4306AOn Semi同步整流器控制器
NCP4308AOn Semi同步整流器控制器

Low-Side Gate Drivers

器件型號 製造商 描述 應用範例
1EDB7275F Infineon Isolated, single, 5A/9A source/sink, 3 kV ---
UCC27611 Texas Instruments 4 A/6 A高速5 V、優化的單閘極驅動器 EPC9081
LMG1020Texas Instruments速度為60 MHz/1ns的5 V、7 A/5 A低側氮化鎵驅動器EPC9144
uP1964uPI Semiconductor增強型氮化鎵場效應電晶體的單通道閘極驅動器---
IXD_604IXYS4安培雙路低側超快速驅動器---
LMG1025-Q1Texas Instruments在低於5 V時鎖定的車規級7A/5A、單通道、低側閘極驅動器,適用於窄脉衝應用---
ADuM4120ARIZ Analog Devices 2 A輸出的隔離型單通道驅動器 ---
ADuM4121ARIZ Analog Devices 2 A隔離型單通道驅動器 ---

Half-Bridge Gate Drivers

器件型號 製造商 描述 應用範例
LT8418 Analog Devices 整合了智慧自舉開關、可驱动100 V氮化鎵半橋元件的驱动器 EVAL-LT8418-BZ
1EDN71x6U Infineon 200 V, chip set, 4 gate drive current versions ---
2EDB7259Y Infineon Isolated, dual, 5A/9A source/sink, 3 kV ---
2EDR7259X Infineon Isolated, dual, 5A/9A source/sink, 5.7 kV ---
NCP51810 On Semi 支援氮化鎵功率開關元件的150 V半橋閘極驅動器 與EPC聯繫
NCP51820 On Semi -3.5 至+650 V、可調死區時間、雙LDO 與EPC聯繫
LM5113-Q1Texas Instruments5 A、100 V eGaN FET半橋驅動器EPC9078
LMG1205Texas Instruments1.2 A, 5 A, 100 V eGaN FET半橋驅動器EPC9078
uP1966E uPI Semiconductor 80 V 驅動eGaN FET的雙通道閘極驅動器 EPC9078
LMG1210Texas Instruments200 V、1.5 A/3 A、可調死區時間的半橋氮化鎵驅動器與EPC聯繫
Si827xGB-IMSkyworks隔離式、車用、高達2.5 kV隔離電壓、4 A
可編程死區時間。 使用“ GB”和“ IM”尾碼
EPC9084
LMG5200Texas Instruments80 V氮化鎵半橋功率級LMG5200POLEVM-10
ADuM4221A Analog Devices 具備可調死區時間和4 A 輸出電壓的隔離型半橋驅動器 ---
MPQ1918-AEC1 MPS 100 V、1.6 A、5 A的氮化鎵半橋驅動器通過AEC-Q100認證 與EPC聯繫
MP8699B MPS 支援氮化鎵功率開關元件的100 V半橋閘極驅動器 與EPC聯繫
STDRIVEG600 ST 600 V半橋元件,允許低側感測電阻的失調電壓漂移 EPC9167

ICs for High Reliability Applications

器件型號 製造商 描述 作用
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space氮化鎵(eGaN)閘極驅動器模組為單輸出閘極驅動器
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 V、耐輻射、高速兼多功能的氮化鎵(eGaN) HEMT驅動器HEMT驅動器
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V/10 A、耐輻射的多功能功率模組Power Stage
ISL70040SEHRenesas耐輻射的低側GaN FET驅動器閘極驅動器
TPS7H6003-SPTexas Instruments抗輻射、QMLV 200-V 半橋 GaN 閘極驅動器閘極驅動器