uP1966E:用於eGaN® FET的80 V雙通道閘極驅動器

特點

  • 0.4 Ω/0.7 Ω下拉/上拉電阻
  • 快速傳播延遲(典型值爲20 ns)
  • 快速的上升沿和下降沿時間(典型值分別爲8 ns和4 ns)。
  • 開啓/關閉具有可調輸出功能
  • CMOS兼容型輸入邏輯(與電源電壓無關)
  • 電源輸入的欠壓鎖定
uP1966E: 85 V Dual-Channel Gate Driver for eGaN FETs
晶片尺寸: 1.6 mm x 1.6 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 隔離型DC/DC轉換器
  • 用於AC/DC和DC/DC的同步整流
  • 光達/脉衝電源
  • 負載點轉換器
  • D類音頻放大器
  • LED照明
產品狀況:可供購買
uPI公司授權宜普電源轉換公司(EPC)在美洲和歐洲、中東和非洲地區銷售uP1966E。有關uP1966E在亞洲的銷售,請聯繫uPI公司
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